[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201510212562.7 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN106206826B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 薛黎明;杨武保 | 申请(专利权)人: | 中海阳能源集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102200 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制备方法。一种高效异质结太阳能电池,其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区,所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层,所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层,在所述非晶硅层上,夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状,在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本发明还公开了该高效异质结太阳能电池的制备方法。本发明的高效异质结太阳能光伏电池,消除非晶硅的衰减,消除非晶硅中光生载流子的无效复合,大幅度提高光伏效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高效异质结太阳能电池,其特征在于,包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区,所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层,所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层,在所述非晶硅层上,夹杂有热处理硅区;所述热处理硅区为薄片状,在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形;所述热处理硅区与热处理硅区之间的间距为10mm;所述晶硅层没有铝背接触层,所述晶硅层背面沉积有完整非晶硅膜,实现三异质结构;晶硅层的入射光面经过制绒处理得到制绒区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的