[发明专利]一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法有效

专利信息
申请号: 201510097442.7 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN104729369A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 杨玉银;陈长贵;王进良;黄浩;刘志辉 申请(专利权)人: 中国水利水电第五工程局有限公司
主分类号: F42D1/00 分类号: F42D1/00;F42D1/08;F42D3/04
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 罗言刚
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,所述打孔具体为:沿作业面周边的边界轮廓线钻孔,光爆层由位于边界轮廓线的周边光爆孔列和仅靠周边光爆孔的外圈崩落孔列间岩体组成,所述周边光爆孔列外侧还具有处理欠挖短孔列;外圈崩落孔和周边光爆孔均按照软岩光面爆破设计,形成双层光面爆破。处理欠挖短孔和外圈崩落孔内装入炸药和导爆索,所述周边光爆孔的装药分为两种情况:只装导爆索或装入导爆索与少量孔底加强炸药。采用本发明所述应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,有效减轻了爆破对围岩的扰动,避免了因爆破振动、冲击造成围岩大量超挖的情况,并且岩层爆破脱落效果很好。
搜索关键词: 一种 应用于 极软岩 光面 爆破 方法
【主权项】:
一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,其特征在于:所述打孔具体为:沿作业面的顶部边界定义光爆层,光爆层由位于外侧靠近顶部边界的周边光爆孔列和位于紧邻周边光爆孔列的外圈崩落孔列之间的岩体组成,所述周边光爆孔列外侧还具有处理欠挖短孔列,所述处理欠挖短孔列中的处理欠挖短孔与周边光爆孔列中的周边光爆孔交错分布;所述处理欠挖短孔的深度为周边光爆孔深度的0.36~0.50倍;作业面顶部下方还设置有掏槽孔列;所述光爆层厚度为W=(1.0~1.15)*E,E为周边光爆孔的平均孔距;所述装药具体为:处理欠挖短孔和外圈崩落孔内装入炸药和导爆索,所述周边光爆孔的装药分为以下两种情况A1‑A2:A1.针对软岩光面,每一周边光爆孔均装入炸药和导爆索;装有炸药和导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.2‑0.4倍;A2.针对极软岩光面,周边光爆孔列采用间隔装药,即每一周边光爆孔均装入导爆索,每间隔一个周边光爆孔装入炸药;仅装导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.05‑0.2倍,装有炸药和导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.2‑0.4倍;所述周边光爆孔、外圈崩落孔、处理欠挖短孔均垂直于作业面;周边光爆孔与外圈崩落孔均按照软岩光面爆破规则设计;所述起爆过程中,周边光爆孔列、处理欠挖短孔列同时起爆,外圈崩落孔列的起爆时间早于周边光爆孔列,掏槽孔列的起爆时间早于外圈崩落孔列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国水利水电第五工程局有限公司;,未经中国水利水电第五工程局有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510097442.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top