[发明专利]一种热浸镀含硅Galfan合金镀层及热浸镀方法在审
| 申请号： | 201510095488.5 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104818444A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王建华;李凯良;苏旭平;涂浩;彭浩平 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C2/06 | 分类号： | C23C2/06;C22C18/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及热浸镀技术领域，特别涉及一种添加硅元素的Galfan合金镀层及其热浸镀方法。所述热浸镀Galfan合金镀层含有质量百分比为0.01%~0.1%的硅。热浸镀方法，包括熔炼含硅的热浸镀Galfan合金镀层的步骤，对钢铁材料进行镀前处理的步骤和热浸镀的步骤，其特征在于：热浸镀的温度控制在480℃~500℃，浸镀时间为30s~180s。利用硅元素和稀土元素之间的协同作用，能够有效提高镀层的抗开裂性，有效提高Galfan合金的耐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热浸镀含硅 galfan 合金 镀层 热浸镀 方法 | ||
【主权项】：
一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层，其特征在于：所述热浸镀Galfan合金镀层含有质量百分比为0.01%~0.1%的硅。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C2-00 用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺；其所用的设备
C23C2-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2-04 .以覆层材料为特征的
C23C2-14 .过量熔融覆层的除去；覆层厚度的控制或调节
C23C2-26 .后处理
C23C2-30 .熔剂或融态槽液上的覆盖物
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