[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510089875.8 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104733576B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 苏晨;韩杰;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底、依次形成在衬底上的缓冲层、3D层、高温填平层、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第一半导体层为N型层，第二半导体层为P型层，高温填平层包括N型掺杂层，N型掺杂层的掺杂浓度低于N型层的掺杂浓度；N型掺杂层为以下结构中的任一种n‑GaN层，或者u‑GaN层及设于u‑GaN层上的n‑GaN层，或者u‑GaN/n‑GaN周期性重复结构，或者采用Delta掺杂方式生长的氮化物/u‑GaN周期性重复结构，或者u‑GaN层及设于u‑GaN层上的重复层，重复层为u‑GaN/n‑GaN周期性重复结构或者采用Delta掺杂方式生长的氮化物/u‑GaN周期性重复结构，氮化物为N型掺杂层中掺杂元素构成的氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，包括衬底、依次形成在所述衬底上的缓冲层、3D层、高温填平层、第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层，其特征在于，所述高温填平层包括N型掺杂层，所述N型掺杂层的掺杂浓度低于所述N型层的掺杂浓度；所述N型掺杂层为以下结构中的任一种：n‑GaN层，或者u‑GaN层及设于所述u‑GaN层上的n‑GaN层，或者u‑GaN/n‑GaN周期性重复结构，或者采用Delta掺杂方式生长的氮化物/u‑GaN周期性重复结构，或者u‑GaN层及设于所述u‑GaN层上的重复层，所述重复层为u‑GaN/n‑GaN周期性重复结构或者采用Delta掺杂方式生长的氮化物/u‑GaN周期性重复结构，所述氮化物为所述N型掺杂层中掺杂元素构成的氮化物。
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