[发明专利]一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件

摘要

一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，包括有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，所述发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极，所述发射区上由下至上依次形成有发射区隔离层、第一势垒、第一势阱、子势阱、第二势阱、第二势垒、集电区隔离层、集电区、集电区电极接触层和集电区金属电极。本发明的一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，采用超窄双阱，可有效提高峰值电流，从而增大输出功率。减小发射极面积，从而减小器件尺寸，减小寄生电容，由此可提高RTD的响应频率。因此，本发明具有响应频率高，输出功率大，制备容易，集成度高的特点。

主权项

一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，其特征在于，包括有由下至上依次形成的衬底(1)、缓冲层(2)和发射区电极接触层(3)，所述发射区电极接触层(3)上分别形成有发射区(4)和发射区金属电极(15)，所述发射区(4)上由下至上依次形成有发射区隔离层(5)、第一势垒(6)、第一势阱(7)、子势阱(8)、第二势阱(9)、第二势垒(10)、集电区隔离层(11)、集电区(12)、集电区电极接触层(13)和集电区金属电极(14)。