[发明专利]倒置OLED器件结构

摘要

本发明提供了一种倒置OLED器件结构，在基板上旋涂一层聚合物薄膜，使基底表面平整化，然后制备OLED透明阴极薄膜，在阴极之上采用真空蒸镀的方法形成一层强氧化性材料作为电子注入层，然后蒸镀一层超薄金属或金属氧化物薄膜作为阴极缓冲层，其次依次为n型掺杂的电子传输层，电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。该强氧化性材料电子注入层/金属或金属氧化物/n型掺杂的电子传输层的结构能够有效地降低倒置器件结构中空穴注入高势垒的问题，能够有效的降低器件的驱动电压，从而提高器件性能。

主权项

倒置OLED器件结构，包括基板（1），其上旋涂聚合物防短路层（2），在聚合物防短路层（2）之上沉积有一层阴极薄膜（3），在该阴极薄膜（3）上蒸镀一层强氧化性材料的电子注入层（4），在该电子注入层（4）之上沉积一层金属或金属氧化物薄膜（5），在金属或金属氧化物薄膜（5）之上为n型掺杂的电子传输层（6），其次依次为电子传输层（7）、发光层（8）、空穴传输层（9）、空穴注入层（10）和阳极（11），其特征在于：所述的电子注入层（4）的强氧化性材料为2,3,6,7,10,11‑六氰基‑1,4,5,8,9,12‑六氮杂苯并菲、2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌、MoO2、MoO3、SiO或SiO2。