[发明专利]透明电极及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种透明电极及其制备方法与应用，属于透明电极技术领域。解决了现有技术中金属氧化物柔性电极不耐弯折并且导电性能较差的技术问题。该透明电极包括从下至上依次排列的柔性基底和导电层，导电层上刻蚀有金属网栅结构的凹槽，刻蚀深度至柔性基底的上表面，且金属网栅结构的凹槽中沉积有金属，沉积的金属形成金属栅极。该电极基本保持了透明电极在可见光区的透过率，降低了透明电极的表面电阻，在可见光区域的透过率为70％‑85％，表面方阻为3Ω/□‑12Ω/□；增加了透明电极的弯折性能，且透明电极在弯折之后也可以保持较好的导电性，本发明的透明电极经400次弯折表面方阻升高在10％以下，导电性基本没有下降。

主权项

透明电极，包括从下至上依次排列的柔性基底(1)和导电层(2)，其特征在于，所述导电层(2)上刻蚀有金属网栅结构的凹槽，刻蚀深度至柔性基底(1)的上表面，且金属网栅结构的凹槽中沉积有金属，沉积的金属形成金属栅极(3)；所述透明电极的制备方法包括以下步骤：步骤一、在金属氧化物透明电极的导电层(2)上沉积水溶性导电聚合物，得到聚合物薄膜(4)；所述金属氧化物透明电极包括从下至上依次排列的柔性基底(1)和导电层(2)；步骤二、采用激光刻蚀工艺在聚合物薄膜(4)上刻蚀金属网栅结构的凹槽，刻蚀深度达到柔性基底(1)的上表面；所述激光刻蚀的线速度为400mm/s‑1500mm/s，工作功率为0.8W‑4.7W；步骤三、在未刻蚀的聚合物薄膜(4)的上表面和刻蚀后裸露的柔性基底(1)的上表面上沉积厚度为100nm‑200nm的金属层(5)，形成金属栅极(3)；步骤四、将带有金属栅极(3)的金属氧化物透明电极放入去离子水中超声，除去未刻蚀的聚合物薄膜(4)及未刻蚀的聚合物薄膜(4)上的金属层(5)，得到透明电极。