[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一阻挡层、介电质层和第二阻挡层；定义第一金属区域和第二金属区域，在第一金属区域和第二金属区域内形成沟槽；第一金属区域内沟槽的横截面面积大于第二金属区域内沟槽的横截面面积；在第二阻挡层的上表面和沟槽的底部及其侧壁上形成第三阻挡层，并在第三阻挡层上形成金属层。可以使第一金属区域内的蚀刻速率小于第二金属区域内的蚀刻速率，在刻蚀完成后，第一金属区域内还保留有部分介电质层和第一阻挡层作为后续刻蚀的阻挡层，可以避免刻蚀过程对第一金属区域内金属层造成损伤；整个工艺过程不需要额外的掩膜层，简化了工艺步骤，节约了生产成本。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上自下至上依次形成第一阻挡层、介电质层和第二阻挡层；在所述第二阻挡层上定义出第一金属区域和第二金属区域，并采用干法刻蚀工艺对所述第一金属区域和所述第二金属区域自上至下进行刻蚀，以在所述第一金属区域和所述第二金属区域内形成沟槽，所述干法刻蚀的气体为氟碳比F/C小于或等于2的气体；所述第一金属区域内所述沟槽的横截面面积大于所述第二金属区域内所述沟槽的横截面面积；在所述第二阻挡层的上表面和所述沟槽的底部及其侧壁上形成第三阻挡层，并在所述第三阻挡层上形成金属层；去除所述沟槽外的所述金属层和覆盖在所述第二阻挡层上表面的所述第三阻挡层。