[发明专利]用于组胺快速检测的分子印迹-SPR传感方法

摘要

本发明涉及SPR传感器芯片领域，具体涉及组胺分子印迹SPR传感器芯片及其制备方法。所述组胺分子印迹SPR芯片采用旋涂接枝引发剂的方法，在SPR芯片表面原位聚合制备组胺的MIP膜。本发明组胺分子印迹SPR芯片对组胺有高特异性吸附能力，对样品中低浓度组胺有着明显的响应信号变化。采用本发明制备的组胺分子印迹SPR芯片分析组胺残留，步骤简单，分析时间短，对低浓度下分析有较高的特异性和灵敏度。

主权项

一种使用旋涂接枝引发剂在SPR芯片表面制备组胺MIP膜的方法，其特征在于其处理过程由如下步骤组成：(1)预聚合液的配制：取5.0mL的DMSO于称量瓶中(40×25mm)，加入模板分子组胺(0.2mmol)、单体MAA(0.4mmol)、交联剂EGDMA(0.8mmol)，超声除氧10min后，再用N₂除氧10min。(2)将30mg引发剂(AIBN)和3mg粘附剂(PVC)溶解于3mL四氢呋喃(THF)溶液中。取出100μL缓慢地滴加在SPR芯片表面中心位置，然后在SC‑1B型匀胶台上旋涂均匀，旋涂转速为58.83×21.60rpm，旋涂时间60s。(3)将旋涂了旋涂液的SPR芯片迅速浸入预聚合液中，继续通N₂除氧10min，紧密封闭称量瓶，置于电热恒温鼓风干燥箱中，60℃反应16h。聚合反应完毕后，将SPR芯片浸泡在甲醇∶冰乙酸＝9∶1(v/v)的混合溶液中，洗脱模板分子，每次40min，洗脱4次，然后再用甲醇溶液洗脱2次，最后用无水乙醇、ddH₂O冲洗干净后N₂吹干备用。不加入组胺，按同样方法制备对应的NIP膜。