[发明专利]一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电容提取方法

摘要

本发明涉及一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电容提取方法，所述方法包括以下步骤由模型模板和工艺参数文件构造电路模型；由所述电路模型生成马尔可夫转移矩阵；存储同一工艺制程下的各个模型的马尔可夫转移矩阵至马尔可夫转移矩阵库中；和利用马尔可夫转移矩阵库提取该工艺制程下的集成电路设计中的寄生电容。本发明建立的马尔可夫转移矩阵库的模型为基本的导体、介质或二者边界，能够覆盖电路中所有可能出现的情况，可以完全控制计算过程中的误差，保证了精度与可靠性，能达到非常高的效率。

主权项

一种基于马尔可夫转移矩阵库的寄生电容提取方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：由模型模板和工艺参数文件构造电路模型；由所述电路模型生成马尔可夫转移矩阵；存储同一工艺制程下的各个模型的马尔可夫转移矩阵至马尔可夫转移矩阵库中；和利用马尔可夫转移矩阵库提取该工艺制程下的集成电路设计中的寄生电容；其中，所述利用马尔可夫转移矩阵库提取该工艺制程下的集成电路设计中的寄生电容的步骤包括：读入相应工艺制程的马尔可夫转移矩阵库；读入及翻译集成电路版图并将其划分为若干个子区域；读入相应工艺制程下每个子区域的电路模型的马尔可夫转移矩阵；和由每个子区域的电路模型的马尔可夫转移矩阵计算出导体间的寄生电容；其中，所述由每个子区域的电路模型相对应的马尔可夫转移矩阵计算出导体间的寄生电容的步骤包括：设定任意一个导体i的电位为1V，设定导体j及其它导体的电位为0V，其中j≠i；与导体j相邻的多个边界元中的一个边界元为始发边界元；由导体所在子区域的电路模型对应的马尔可夫转移矩阵得到始发边界元直接或间接跳转至相邻边界元或导体的转移概率；以足够多的次数由始发边界元出发并按照随机漫步法跳转至已知电位的边界元或导体；对最终跳转至导体的电位以跳转至该导体的转移概率为权重进行加权平均从而得到始发边界元的电位；重复上述步骤得到所有与导体j相邻的边界元的电位；根据的原理，按照等式得到导体j的总电荷；当导体电位为1V时，该导体的总电荷在数值上等于该导体的总电容，或该导体电位为0V时，该导体的总电荷在数值上等于与电位设为1V的导体之间的耦合电容。