[发明专利]晶片的加工方法

摘要

本发明提供晶片的加工方法，其不会使抗弯强度恶化并且能够形成较厚的厚度的芯片。在晶片上设定有交叉的多条分割预定线，晶片的加工方法的特征在于具备：槽形成步骤，从晶片的正面沿着分割预定线形成未达到完工厚度的深度的多个槽；保护带粘贴步骤，在晶片的正面粘贴保护带；激光加工步骤，将透过晶片的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部的比完工厚度靠背面侧的位置，朝向晶片的背面沿着分割预定线照射激光束，在晶片内部形成沿着分割预定线的变质层，并且形成从变质层朝向槽延伸的沿着分割预定线的裂纹层；和磨削步骤，利用磨削构件对晶片的背面进行磨削以使晶片变薄至完工厚度，并且，去除变质层，沿着分割预定线将晶片分割为芯片。

主权项

1.一种晶片的加工方法，在晶片上设定有交叉的多条分割预定线，晶片的加工方法的特征在于，晶片的加工方法包括：槽形成步骤，使切削刀具从晶片的正面沿着该分割预定线切入，形成比晶片厚度的一半浅的、未达到完工厚度的深度的多个槽，其中，该切削刀具包含有能够抑制正面崩碎的程度的小粒径的磨粒；保护带粘贴步骤，在实施了该槽形成步骤之后，在晶片的正面粘贴保护带；保持步骤，在实施了该保护带粘贴步骤之后，利用卡盘工作台隔着该保护带保持晶片；激光加工步骤，在实施了该保持步骤之后，将对晶片具有透射性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部的比该完工厚度靠背面侧的位置，朝向晶片的背面沿着该分割预定线照射该激光束，在晶片内部形成沿着该分割预定线的变质层，并且形成从该变质层延伸而到达该槽的沿着该分割预定线的裂纹层；和磨削步骤，在实施了该激光加工步骤之后，利用磨削构件对晶片的背面进行磨削以使该晶片变薄至该完工厚度，并且，去除该变质层，沿着该分割预定线将晶片分割为芯片。