[发明专利]非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器的制造方法，包括：在基底上依序形成介电层、第一导体层以及蚀刻终止层。图案化蚀刻终止层，以形成开口。在基底上形成填满开口的第二导体层。在第二导体层上形成顶盖层，并图案化顶盖层、第二导体层以及蚀刻终止层，以形成堆叠结构并暴露出第一导体层。在堆叠结构的侧壁上形成间隙壁，并于堆叠结构一侧的第一导体层上形成图案化的掩模层。移除间隙壁后，以图案化的顶盖层与图案化的掩模层为掩模，移除部分第一导体层而形成选择栅极与浮置栅极。间隙壁可用来定义选择栅极与浮置栅极的间距。

主权项

一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底上依序形成有一介电层、一第一导体层、一第二导体层以及一顶盖层；图案化该顶盖层以及该第二导体层，以形成一堆叠结构，并暴露出该第一导体层；在该堆叠结构的侧壁上形成一间隙壁；在该堆叠结构一侧的该第一导体层上形成图案化的一掩模层；移除该间隙壁；以及以图案化的该顶盖层与图案化的该掩模层为掩模，移除该第一导体层而形成一选择栅极与一浮置栅极。