[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201510011208.8 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826380A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杜尚晖;秦玉龙;林鑫成 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，其中，半导体装置包括：一半导体基板；一半导体层，设置于该半导体基板上；一第一阱，设置于该半导体层与该半导体基板内；一第二阱，设置于该半导体层内；一第一隔离元件，设置于该第一阱内；一第二隔离元件，设置于该第二阱内；一栅极结构，设置于该第一隔离元件与该第二隔离元件之间的该半导体层内；一第一掺杂区，设置于该第一阱内；以及一第二掺杂区，设置于该第二阱内，其中该栅极结构的一底面高于、低于或大体水平于该第一隔离元件的一底面。本发明的半导体装置及其制造方法提供的半导体装置实现了减少或避免不期望的电流拥挤效应及崩溃电压降低情形的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板；一半导体层，设置于所述半导体基板上；一第一阱，设置于所述半导体层与所述半导体基板内；一第二阱，设置于所述半导体层内并邻近所述第一阱；一第一隔离元件，设置于所述第一阱内；一第二隔离元件，设置于所述第二阱内；一栅极结构，设置于所述第一隔离元件与所述第二隔离元件之间的所述半导体层内；一第一掺杂区，设置于所述第一阱内；以及一第二掺杂区，设置于所述第二阱内，其中所述半导体基板、所述半导体层、所述第二阱具有一第一导电类型，而所述第一阱、所述第一掺杂区与所述第二掺杂区具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型，及所述栅极结构的一底面高于、低于或水平于所述第一隔离元件的一底面。
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