[发明专利]防止子沟道漏电流的半导体装置有效
| 申请号： | 201480083566.3 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004709B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | K·贾姆布纳坦;G·A·格拉斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;S·M·塞亚;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括一种装置，该装置包括：衬底上的鳍状物结构，鳍状物结构包括鳍状物顶部和底部部分、包括多数载流子的沟道、以及外延(EPI)层；绝缘层，其包括邻近鳍状物顶部和底部部分的绝缘层顶部和底部部分；其中(a)EPI层包括IV族和III‑V族材料中的一种或多种，(b)鳍状物底部部分包括掺杂剂的鳍状物底部部分浓度，掺杂剂与多数载流子极性相反，(c)鳍状物顶部部分包括掺杂剂的鳍状物顶部部分浓度，其低于鳍状物底部部分浓度，(d)绝缘层底部部分包括掺杂剂的绝缘层底部部分浓度，以及(e)绝缘层顶部部分包括绝缘顶层部分浓度，其大于绝缘底部部分浓度。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 沟道 漏电 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：在衬底上的鳍状物结构，所述鳍状物结构包括鳍状物顶部部分、鳍状物底部部分、包括多数载流子的沟道、以及外延(EPI)层；以及绝缘层，所述绝缘层包括邻近所述鳍状物顶部部分的绝缘层顶部部分，和邻近所述鳍状物底部部分的绝缘层底部部分；其中，(a)所述EPI层包括IV族材料和III‑V族材料中的至少一种，(b)所述鳍状物底部部分包括掺杂剂的鳍状物底部部分浓度，所述掺杂剂与所述多数载流子极性相反，(c)所述鳍状物顶部部分包括所述掺杂剂的鳍状物顶部部分浓度，其小于所述鳍状物底部部分浓度，(d)所述绝缘层底部部分包括所述掺杂剂的绝缘层底部部分浓度，以及(e)所述绝缘层顶部部分包括绝缘顶层部分浓度，其大于绝缘底部部分浓度。
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