[发明专利]为了性能和栅极填充而优化栅极剖面在审
| 申请号： | 201480083561.0 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004708A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | N·M·拉哈尔-乌拉比;T·加尼;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯;G·杜威;A·S·默西;C·S·莫哈帕特拉 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了为了性能和栅极填充而优化栅极剖面用于的系统和方法。具有优化栅极剖面的半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底之上延伸的鳍状物。一对源极区和漏极区设置在沟道区的相对侧上。栅极叠置体设置在沟道区之上，其中栅极叠置体包括通过锥形部分与底部部分分离的顶部部分。顶部部分和锥形部分的至少一部分在鳍状物之上。 | ||
| 搜索关键词： | 为了 性能 栅极 填充 优化 剖面 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上方延伸的鳍状物，所述鳍状物包括位于沟道区的相对侧上的源极区和漏极区；位于所述沟道区之上的栅极叠置体，所述栅极叠置体包括顶部部分、锥形部分和底部部分，其中，所述顶部部分通过所述锥形部分与所述底部部分分隔开，其中，所述锥形部分的至少一部分和所述顶部部分位于所述鳍状物上方，并且其中，所述顶部部分的宽度大于所述底部部分的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480083561.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机器人模具
- 下一篇：防止子沟道漏电流的半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
