[发明专利]缓冲层的成膜方法及缓冲层有效
| 申请号： | 201480076630.5 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106062971B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 白幡孝洋;织田容征;平松孝浩;小林宏 | 申请（专利权）人： | 东芝三菱电机产业系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种配置于光吸收层与透明导电膜之间的、用于太阳能电池的缓冲层的成膜方法。具体来说，该缓冲层的成膜方法是使包含锌和铝作为上述缓冲层的金属原料的溶液(4)雾化。然后，对在大气压下配设的基板(2)进行加热。然后，向加热中的基板喷雾经雾化的溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲层的成膜方法，其特征在于，是配置于光吸收层与透明导电膜之间的、用于太阳能电池的缓冲层的成膜方法，具备：(A)使包含锌和铝作为所述缓冲层的金属原料的溶液(4)雾化的工序；(B)对在大气压下配设的基板(2)进行加热的工序；和(C)向所述工序(B)中的所述基板喷雾在所述工序(A)中经雾化的所述溶液的工序。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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