[发明专利]氮杂硼杂苯衍生物，它们的合成及其在有机电子器件中的用途

摘要

本发明涉及式(I‑1)或(I‑2)的氮杂硼杂苯衍生物，它们的合成以及它们在有机电子器件，特别是在有机发光器件如OLEDS、有机光伏器件和有机光电检测器中的用途。本发明还进一步涉及在器件中包括本发明的氮杂硼杂苯衍生物的有机电子器件如OFET。

主权项

1.包括式(I‑1)或(I‑2)的结构单元的化合物：其中A¹和A²各自独立地为与相邻的氮杂硼杂苯环稠合的单或多环的芳族或杂芳族的环体系，并且A¹和A²选自下式(II‑1)到(II‑29)：其中X¹和X²各自独立地选自由O、S、Se、NR³、CR³₂和SiR³₂组成的组，且R³各自独立地是H或任选取代的C_1‑40烃基，其中所述“取代”指的是通过选自以下基团的取代基来代替氢：卤素原子、具有1到10个碳原子的烷基、其中至少一个氢原子被卤素原子代替的具有1到10个碳原子的烷基、具有5到20个环原子且所述环原子各自独立地选自由碳和不是H‑或C‑原子的杂原子组成的组的芳基、以及具有5到20个环原子且所述环原子各自独立地选自由碳和不是H‑或C‑原子的杂原子组成的组并且至少一个氢被卤素原子代替的芳基；并且其中每个不是稠合原子的芳族的环碳原子可以被N代替；B¹是与两个相邻的氮杂硼杂苯环稠合的单或多环的芳族或杂芳族的环体系，并且B¹选自下式(III‑1)到(III‑42)以及(III‑46)组成的组：其中X¹、X²和X³各自独立地选自由O、S、Se、NR³、CR³₂和SiR³₂组成的组，且R³如上定义；其中a可以是0或1；且其中每个不是稠合原子的芳族环碳原子可以被N代替；Ar¹和Ar²各自独立地为苯基或其中一个或多个芳族环原子可以被N代替的苯基；并且R¹和R²各自独立地选自氢、具有1到20个碳原子的烷基、具有5到30个芳族环原子的芳基和具有5到30个芳族环原子的杂芳基；其中A¹、A²、B¹、Ar¹和Ar²各自独立地可以是未取代的或被取代基L取代的，所述取代基L选自卤素，或具有1到12个C原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、硫代烷基、氟代烷基和氟代烷氧基，或者是具有2到12个C原子的烯基和炔基；和星号表示与邻近单元或基团的连接。