[发明专利]用于回收粉末状碳化硅废物的方法有效
| 申请号： | 201480050576.7 | 申请日： | 2014-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105793002B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 约尔格·阿德勒;海克·海默;彼得·蒂梅;托比亚斯·迈尔-乌玛;托马斯·席希特 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;C09K3/14;C01B32/956;B09B3/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;缑正煜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及到技术陶瓷的领域并且涉及一种用于回收粉末状碳化硅废物的方法，这些碳化硅废物例如存在于磨削淤浆中或存在于碳化硅的由生产造成的废料中。本发明的任务是提供一种用于回收利用粉末状碳化硅废物的方法，利用该方法使得粉末状SiC废物以简单的且经济的方法对于已知的成品和工艺来说是能重新使用的。该任务通过一种用于回收粉末状碳化硅废物的方法来解决，其中，使具有至少50质量％的SiC并具有经由激光衍射法测量到的在0.5至500μm之间的平均粒度d50的粉末状SiC废物在真空或无氧的气氛下在至少2000℃温度的情况下经受温度处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 回收 粉末状 碳化硅 废物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于回收粉末状碳化硅废物的方法，其中，使粉末状SiC废物在真空或无氧气氛下在2000℃至2600℃的温度下经受温度处理，所述粉末状SiC废物来自Si加工工艺的所谓的残余淤浆SiC、来自表面处理工艺的磨削粉尘、磨削淤浆、或来自SiC坯料的生产工艺的细粒状分级物作为粉末状碳化硅废物并具有至少50质量百分比的SiC并具有经由激光衍射测量到的在0.5至500μm之间的平均粒度d50。
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