[发明专利]用于盖与喷嘴上的稀土氧化物基涂层的离子辅助沉积有效
申请号: | 201480041007.6 | 申请日: | 2014-07-15 |
公开(公告)号: | CN105392913B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔;Y·张 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;C23C14/08;C23C14/54 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层,其中,保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 喷嘴 稀土 氧化物 涂层 离子 辅助 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种用于蚀刻反应器的腔室部件,包含:盖或喷嘴,所述盖或喷嘴包含陶瓷主体;以及保护层,所述保护层位于所述陶瓷主体的至少一个表面上,其中,所述保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜,所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有0.5μm到300μm的厚度且具有小于10微英寸的平均表面粗糙度并且所述保护层的孔隙度小于1%,其中所述保护层具有涂覆了所述盖所包括的孔的内部的一部分的侧壁部,并且所述保护层的所述侧壁部在所述盖的表面附近较厚并且进入所述孔而逐渐变得更薄,其中所述保护层是离子辅助沉积IAD涂层。
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