[发明专利]密封片材、半导体装置的制造方法及带有密封片材的基板在审
| 申请号： | 201480018205.0 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN105074894A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 盛田浩介;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B32B7/04;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可通过对半导体元件或被粘物的凹凸的良好的埋入性而抑制空隙的产生并且在粘贴于被粘物的前后作业性良好的密封片材及使用其的半导体装置的制造方法、以及贴合有该密封片材的基板。本发明的密封片材具备基材、及设置于该基材上的具有以下特性的底部填充材料。自上述基材的90°剥离力：1mN/20mm以上且50mN/20mm以下25℃下的断裂延伸率：10％以上40℃以上且低于100℃的最低粘度：20000Pa·s以下100℃以上且200℃以下的最低粘度：100Pa·s以上。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 半导体 装置 制造 方法 带有 | ||
【主权项】：
一种密封片材，其具备基材、及设置于该基材上的具有以下特性的底部填充材料，自所述基材的90°剥离力：1mN/20mm以上且50mN/20mm以下25℃下的断裂延伸率：10％以上40℃以上且低于100℃的最低粘度：20000Pa·s以下100℃以上且200℃以下的最低粘度：100Pa·s以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
