[发明专利]RFeB系烧结磁体的制造方法和利用其制造的RFeB系烧结磁体在审
| 申请号： | 201480014387.4 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105190802A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 宇根康裕;久保博一;佐川真人;杉本谕;松浦昌志;中村通秀 | 申请（专利权）人： | 因太金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/00;B22F3/02;B22F9/04;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供一种以高取向度制造主相晶粒的粒径为1μm以下且粒度分布的均匀性高的RFeB系烧结磁体的方法。一种RFeB系烧结磁体制造方法，其中，使用RFeB系合金的粉末，制作利用磁场进行了取向的有形体，并进行烧结，所述RFeB系合金的粉末是将内部形成有RFeB系晶粒的晶粒微细化粗粉粒进行粉碎而得到的、由显微镜图像以圆当量直径进行分析得到的粒度分布的平均值为1μm以下的粉末，以面积比计前述晶粒的90％以上处于相互分离的状态，所述RFeB系晶粒的根据由显微镜图像求出的圆当量直径得到的粒度分布的平均值为1μm以下。该合金粉末由于晶粒彼此分离，因此制造高取向度的RFeB系烧结磁体成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | rfeb 烧结 磁体 制造 方法 利用 | ||
【主权项】：
一种RFeB系烧结磁体的制造方法，其特征在于，使用RFeB系合金的粉末，制作利用磁场进行了取向的有形体，并进行烧结，所述RFeB系合金的粉末是对内部形成有RFeB系晶粒的晶粒微细化粗粉粒进行粉碎而得到的、根据由显微镜图像求出的圆当量直径得到的粒度分布的平均值为1μm以下的粉末，以面积比计所述晶粒的90％以上处于相互分离的状态，所述RFeB系晶粒的根据由显微镜图像求出的圆当量直径得到的粒度分布的平均值为1μm以下。
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