[发明专利]三维存储器结构有效
| 申请号： | 201480007712.4 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104969351B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;C.V.莫里;K.K.帕拉特;孙杰;黄广宇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L29/788;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L21/336;H01L27/11524;H01L29/792;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制作三维存储器结构的方法包括：形成阵列堆叠；在阵列堆叠之上创建牺牲材料层；刻蚀通过牺牲材料层和阵列堆叠的孔；在所述孔中创建半导体材料的立柱以形成至少两个竖直堆叠的闪存单元，所述至少两个竖直堆叠的闪存单元使用所述立柱作为共用主体；去除围绕所述立柱的至少一些牺牲材料层，以便暴露所述立柱的一部分；以及使用所述立柱的所述部分作为FET的主体来形成场效应晶体管（FET）。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作三维存储器结构的方法，包括：形成阵列堆叠；在阵列堆叠之上创建牺牲材料层；刻蚀通过牺牲材料层和阵列堆叠的至少一部分的孔；在所述孔中创建半导体材料的立柱以形成至少两个竖直堆叠的闪存单元，所述至少两个竖直堆叠的闪存单元使用所述立柱作为共用主体；去除围绕所述立柱的至少一些牺牲材料层，以便暴露所述立柱的至少一部分；以及使用所述立柱的被暴露部分作为场效应晶体管(FET)的主体来形成FET，还包括：在形成FET之前刻蚀掉所述立柱的被暴露部分中的一些。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
