[实用新型]一种用于集成电路的带隙基准源电路有效
申请号: | 201420854337.4 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN204256579U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 赵阳 | 申请(专利权)人: | 上海华群实业股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于集成电路的带隙基准源电路,包括:第一至第十六PMOS管、第一至第四NMOS管、运算放大器、第一电阻、第二电阻以及第一至第四三极管。能有效消除因基极电流导致的基准电压温度系数较大的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 集成电路 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种用于集成电路的带隙基准源电路,其特征在于,包括:第一至第十六PMOS管、第一至第四NMOS管、运算放大器、第一电阻、第二电阻以及第一至第四三极管,其中,所述第一PMOS管的源极接电源,栅极接所述运算放大器的输出端,漏极接所述第二PMOS管的源极;所述第二PMOS管、第四PMOS管、第六PMOS管、第八PMOS管、第十PMOS管、第十二PMOS管、第十四PMOS管和第十六PMOS管各自的栅极相接;所述第二PMOS管的漏极接所述第一三极管的发射极;所述第三PMOS管的源极接电源,漏极接所述第四PMOS管的源极,栅极接所述第三NMOS管的漏极;所述第四PMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极;所述第五PMOS管的源极接电源,栅极接所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第六PMOS管的源极;所述第六PMOS管的漏极接所述第二三极管的发射极;所述第七PMOS管的源极接电源,栅极接所述运算放大器的输出端,漏极接所述第八PMOS管的源极;所述第八PMOS管的漏极接所述第二三极管的发射极;所述第九PMOS管的源极接电源,栅极接所述运算放大器的输出端,漏极接所述第十PMOS管的源极;所述第十PMOS管的漏极通过所述第一电阻接所述第三三极管的发射极;所述第十一PMOS管的源极接电源,栅极接所述运算放大器的输出端,漏极接所述第十二PMOS管的源极;所述第十二PMOS管的漏极通过所述第二电阻接所述第四三极管的发射极;所述第十三PMOS管的源极接电源,栅极接所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第十四PMOS管的源极;所述第十四PMOS管的漏极接所述第四三极管的发射极;所述第十五PMOS管的源极接电源,栅极接所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第十六PMOS管的源极;所述第十六PMOS管的漏极接所述第三三极管的发射极;所述第一NMOS管的漏极接所述第一三极管的基极,栅极接所述第一三极管的发射极,源极接所述第二NMOS管的漏极;所述第二NMOS管的源极接地,栅极接所述第一三极管的基极;所述第三NMOS管的源极接所述第四NMOS管的漏极,栅极接所述第一三极管的发射极;所述第四NMOS管的源极接地,栅极接所述第一三极管的基极;所述第一三级管的集电极接地,所述第二三极管、第三三极管和第四三极管各自的集电极和基极接地;所述运算放大器的反相输入端接所述第二三极管的发射极,同相输入端通过所述第一电阻接所述第三三极管的发射极;所述第十二PMOS管的漏极为基准电压输出端。
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