[实用新型]一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池有效
申请号: | 201420847119.8 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN204243055U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 李媛;周丽萍 | 申请(专利权)人: | 杭州天裕光能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 胡龙祥 |
地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,是在透明导电玻璃基板上依次沉积顶电池非晶硅P型层、顶电池非晶硅缓冲层、顶电池非晶硅本征层、顶电池微晶硅N型层、底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层、底电池非晶硅缓冲层、底电池非晶硅本征层、底电池非晶硅N型层、背电极薄膜层和封装材料层而成。相对于现有结构,本实用新型增设了底电池非晶硅P2层与底电池非晶硅P3层两薄膜层。底电池三P型层设计,改善了底电池与顶电池的界面接触,增强了内建电场,使得非晶硅叠层电池的开路电压大大增加,同时提高了非晶硅叠层电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 开路 电压 非晶硅叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池,其特征是:由依次层叠在透明导电玻璃基板(1)上的顶电池非晶硅P型层(2)、顶电池非晶硅缓冲层(3)、顶电池非晶硅本征层(4)、顶电池微晶硅N型层(5)、底电池非晶硅P1层(6)、底电池非晶硅P2层(7)、底电池非晶硅P3层(8)、底电池非晶硅缓冲层(9)、底电池非晶硅本征层(10)、底电池非晶硅N型层(11)、背电极薄膜层(12)和封装材料层(13)构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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