[实用新型]一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件有效
| 申请号： | 201420845961.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN204332944U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 孙青秀 | 申请（专利权）人： | 孙青秀 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片、塑封体和镀银层，所述镀银层为相互独立的镀银层段，所述镀银层与中间金属层连接，中间金属层再与另一层镀银层连接。所述中间金属层，是为了隔离镀银层和另一层镀银层的。本专利实现塑封体与镀银层良好结合的同时，隔离金属将两层银合理隔开，解决了SMT时焊料将银层共晶熔化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 隔离 金属 防止 镀银 熔化 封装 | ||
【主权项】：
一种利用隔离金属层防止镀银层熔化的封装件，包括有芯片(1)、塑封体(3)和镀银层(4)，所述镀银层(4)为相互独立的镀银层段，其特征在于：所述镀银层(4)与中间金属层(6)连接，中间金属层(6)再与另一层镀银层(41)连接。
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