[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201420822046.7 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN204243045U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 石磊;许晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及显示工艺技术领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括基板,基板上依次设有第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极,有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域,源、漏电极与源、漏重掺杂区域电连接;第一栅极设置于漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或第一栅极分为两个部分,分别设置于源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。本实用新型提供一种阵列基板及显示装置,通过LDD结构降低TFT关态漏电流,同时通过底栅结构提高TFT开态电流的效果,提高产品良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括基板,所述基板上依次设有第一栅极、第一栅绝缘层,所述第一栅绝缘层上设有有源层,所述有源层上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极,所述源漏电极在第三栅绝缘层上;所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域,其中,源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极,源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏轻掺杂区域,所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接;其中,所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或所述第一栅极分为两个部分,分别设置于所述源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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