[实用新型]4430nm带通红外滤光敏感元件有效
申请号: | 201420758415.0 | 申请日: | 2014-12-07 |
公开(公告)号: | CN204374474U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 吕晶;王继平;余初旺 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
地址: | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种4430nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长4430±15 nm,其在医用红外气体检测分析过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70%,带宽=30±10nm,400~11000 nm(除通带外),Tavg<0.1%。 | ||
搜索关键词: | 4430 nm 通红 滤光 敏感 元件 | ||
【主权项】:
一种4430nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。
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