[实用新型]一种双面生长的GaAs四结太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种双面生长的GaAs四结太阳电池，包括GaAs衬底，其中，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底的上表面设置有GaInP子电池、GaAs子电池、GaInNAs子电池和GaAs缓冲层，在所述GaAs衬底的下表面设置有Ga_xIn_1-xP渐变层和Ga_xIn_1-xAs子电池，所述GaInP子电池和GaAs子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs子电池与GaInNAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInNAs子电池与GaAs缓冲层之间通过第一隧道结连接。本实用新型可以更加充分地利用太阳光能量，提高GaAs多结电池的光电转换效率。

主权项

一种双面生长的GaAs四结太阳电池，包括有GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片；在所述GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaInP子电池、GaAs子电池、GaInNAs子电池和GaAs缓冲层；在所述GaAs衬底的下表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有Ga_xIn_1‑xP渐变层和Ga_xIn_1‑xAs子电池；所述GaInP子电池与GaAs子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs子电池与GaInNAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInNAs子电池与GaAs缓冲层之间通过第一隧道结连接。