[实用新型]功率元件有效
| 申请号： | 201420736122.2 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204257623U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人： | 上海芯亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率元件，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N+掺杂层、P+掺杂层、衬底、凹槽，P型阱位于衬底的上方，氧化层、多晶硅栅层、N+掺杂层、P+掺杂层都位于绝缘层和P型阱之间，第一护层位于金属层和第二护层之间，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中。本实用新型可抑制铝硅接口刺穿的问题，从而不对功率元件造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 元件 | ||
【主权项】：
一种功率元件，其特征在于，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N+掺杂层、P+掺杂层、衬底、凹槽，P型阱位于衬底的上方，氧化层、多晶硅栅层、N+掺杂层、P+掺杂层都位于绝缘层和P型阱之间，第一护层位于金属层和第二护层之间，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯亮电子科技有限公司，未经上海芯亮电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420736122.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于功率变换器的多芯片封装结构
- 下一篇：电力电子模块结构件组合装置
