[实用新型]一种高发光效率的高压发光二极管有效
申请号: | 201420699609.8 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN204243043U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;白继锋;蔡建九;李俊承;张银桥;黄尊祥;王向武 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保;唐绍烈 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管,由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成,其中,第一子级发光二极管上设置第一电极,第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积,提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光 效率 高压 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种高发光效率的高压发光二极管,其特征在于:由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成,其中,各子级发光二极管都包含独立的有源区且通过外延绝缘层互相隔开;有源区第一接触面上设置第一型导电层,有源区第二接触面上设置第二型导电层;第一子级发光二极管的第一型导电层上设置第一电极,第二型导电层上设置介质层,介质层中设置导电通道,介质层上设置金属反射层,且金属反射层通过导电通道与第二型导电层形成欧姆接触,金属反射层上设置非导电键合层,在非导电键合层上设置基板;第二子级发光二极管的第一型导电层上设置ITO导电层,第二型导电层上设置介质层,介质层中设置导电通道,介质层上设置金属反射层,金属反射层通过导电通道与第二型导电层形成欧姆接触,金属反射层上设置非导电键合层,在非导电键合层上设置基板;第二子级发光二极管与第一子级发光二极管之间设置外延绝缘层,且外延绝缘层中设置导电通道,导电通道与第一子级发光二极管的金属反射层形成连接,且与第二子级发光二极管的ITO导电层形成连接;第三子级发光二极管的第一型导电层上设置ITO导电层,第二型导电层上设置介质层,介质层中设置导电通道,介质层上设置金属反射层,金属反射层通过导电通道与第二型导电层形成欧姆接触,金属反射层上设置非导电键合层,在非导电键合层上设置基板;依次串联连接至第n子级发光二极管第一型导电层上设置的ITO导电层,第二型导电层上设置第二电极,且第二电极通过第二电极绝缘层与外延发光结构侧面区域分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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