[实用新型]电源保护电路

摘要

本实用新型属于电源领域，尤其涉及一种具有短路保护功能的电源保护电路，通过光电耦合器和三级管的通断相互配合进行保护，包括CPU、接线端口P1、有极性电容C45、有极性电容C46、有极性电容C47、有极性电容C48、无极性电容C3、电阻R13、电阻R31、电阻R86、电阻R87、电阻R88、电阻R31、电阻R98、电阻R99、电阻R101、电阻R102、电阻R103、电阻R104、光电耦合器U2、光电耦合器U3、二极管D43、二极管D47、二极管D48、二极管D49、三极管VT3、三极管VT10、三极管VT11、场效应管耗尽型N-MOS VT12、三极管VD7和三极管VD8，本装置元器件数量少，结构简单、电路简单、通断迅速、电路所用元器件均为工业化、大批量生产的产品，所以元器件的采购成本和生产成本都较低。

主权项

一种电源保护电路，其特征在于：包括CPU、接线端口P1、有极性电容C45、有极性电容C46、有极性电容C47、有极性电容C48、无极性电容C3、电阻R13、电阻R31、电阻R86、电阻R87、电阻R88、电阻R31、电阻R98、电阻R99、电阻R101、电阻R102、电阻R103、电阻R104、光电耦合器U2、光电耦合器U3、二极管D43、二极管D47、二极管D48、二极管D49、三极管VT3、三极管VT10、三极管VT11、场效应管耗尽型N‑MOS VT12、三极管VD7和三极管VD8，所述的接线端口P1包括输出端口1、输出端口2、输出端口3、输出端口4和输出端口5，其中输出端口3接地线，输出端口2输出+5V电压，输出端口2同时与有极性电容C45的正极相连接，有极性电容C45的负极接地；输出端口4输出‑5V电压，输出端口2同时与有极性电容C46的负极相连接，有极性电容C46的正极接地；所述的输出端口1与有极性电容C47的正极相连接，有极性电容C47的负极接地，输出端口同时与电阻R13的一端、电阻R86的一端、二极管D43的正极相连接，电阻R13的另一端与光电耦合器U2中发光源的一端相连接，光电耦合器U2中发光源的另一端接+110V电压，光电耦合器U2中受光器的一端接地，光电耦合器U2中受光器的另一端分别与电阻R87、电阻R88、光电耦合器U2中受光器的一端相连接，电阻R87的另一端接3.3V电压，电阻R88的另一端分别与CPU、电容C3的一端相连接，电容C3的另一端接地，光电耦合器U2中受光器的另一端接地；电阻R86的另一端与三极管VD7的发射极相连接，三极管VD7的集电极为该电路的+110V输出端；二极管D43的负极与二极管D47的正极相连接，二极管D47的负极分别与三极管VD7的基极、电阻R98的一端相连接，电阻R98的另一端与三极管VT10的集电极相连接，三极管VT10的发射极接地，三极管VT10的基极与电阻R99的一端相连接，电阻R99的另一端与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的发射极接3.3V电压，三极管VT3的基极与电阻R101的一端相连接，电阻R101的另一端与场效应管耗尽型N‑MOS VT12的漏极相连接，场效应管耗尽型N‑MOS VT12的源极接地，场效应管耗尽型N‑MOS VT12的栅极与CPU相连接；所述的输出端口5与有极性电容C48的负极相连接，有极性电容C48的正极接地，输出端口同时与电阻R31的一端、电阻R104的一端、二极管D48的负极相连接，电阻R31的另一端与光电耦合器U3中发光源的一端相连接，光电耦合器U3中发光源的另一端接‑110V电压；电阻R104的另一端与三极管VD8的发射极相连接，三极管VD8的集电极为该电路的‑110V输出端；二极管D48的正极与二极管D49的负极相连接，二极管D49的正极分别与三极管VD8的基极、电阻R103的一端相连接，电阻R103的另一端与三极管VT11的集电极相连接，三极管VT11的发射极接3.3V电压，三极管VT11的基极电阻R102相连接，电阻R102的另一端与场效应管耗尽型N‑MOS VT12的漏极相连接。