[实用新型]低副瓣超材料平板天线有效
| 申请号： | 201420645403.7 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN204243175U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q9/04 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于天线技术领域，提供了一种低副瓣超材料平板天线，利用非周期分布的导电几何结构，旨在解决如何降低超材料平板天线副瓣的问题。该低副瓣超材料平板天线包括辐射体和超材料平板，超材料平板包括基板和多个呈非周期性分布于基板表面的导电几何结构，导电几何结构为由金属或非金属的导电材料构成的微结构；微结构包括相对设置的开口谐振环，各谐振环包括形成有开口的连接段以及直线段，两开口谐振环共用同一直线段。利用导电几何结构呈非周期性分布于基板上，以对低副瓣超材料平板天线的辐射波束进行压窄从而提高增益，使增益呈现非均匀性分布，实现幅度的空间加权，从而降低该低副瓣超材料平板天线电场面的副瓣。 | ||
| 搜索关键词： | 低副瓣超 材料 平板 天线 | ||
【主权项】：
一种低副瓣超材料平板天线，包括辐射体以及设置于所述电磁波辐射方向的超材料平板，其特征在于：所述超材料平板包括基板以及多个呈非周期性分布于所述基板表面的导电几何结构，所述导电几何结构为由金属或非金属的导电材料构成的微结构；所述微结构包括两个相对设置的开口谐振环，各所述开口谐振环包括一对相对设置并形成有开口的连接段以及连接各所述连接段的直线段，两所述开口谐振环共用同一直线段。
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