[实用新型]一种半导体场效应管有效
| 申请号： | 201420575835.5 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204130547U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 夏洪贵 | 申请（专利权）人： | 夏洪贵 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 402360 重庆市大*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体场效应管，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。本实用新型结构简单、温度特性好、噪音低、抗辐射性能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种半导体场效应管，其特征在于，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。
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