[实用新型]碳化硅单晶生长炉的测温孔自清理装置有效
| 申请号： | 201420551466.6 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN204097596U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张皓;徐永宽;程红娟;孟大磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅单晶生长炉的测温孔自清理装置，测温孔自清理装置采用高纯石墨材质、由不同直径的内有中心孔的、圆柱体组成，其总长度略大于生长坩埚底部至下法兰上表面距离，一端圆柱体外径与底层石墨保温层测温孔内径相同，另一端圆柱体外径与下法兰测温孔内径相同,在直径最大处对称、均匀设置数个倾斜通槽，装置顶端不与生长坩埚底部接触，底端伸入下法兰盘测温孔中。技术效果是有效杜绝了测温孔堵塞的问题，使得碳化硅单晶的生长始终处于有效地温度控制下，克服了测温不准、可重复性差的缺点，结构简单，通过与Ar气进气通道的结合，还改善了Ar气进气路径，使其正对生长室中心，具有很好的同心度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 测温 清理 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶生长炉的测温孔自清理装置，测温孔自清理装置（3）采用高纯石墨材质、由不同直径的、内有中心孔（3‑1）的圆柱体组成，其特征在于：其总长度略大于生长坩埚（1）底部至下法兰（4）上表面距离，上端圆柱体外径与底层石墨保温层（2）测温孔内径相同，下端圆柱体外径与下法兰(4)测温孔内径相同,在直径最大处对称、均匀设置数个倾斜通槽（3‑2），使用时，测温孔自清理装置（3）上端直管插入底层石墨保温层（2）测温孔中，顶端不与生长坩埚（1）底部接触、底端伸入下法兰盘（4）测温孔中。
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