[实用新型]硅通孔金属柱背面凸块结构有效

专利信息
申请号: 201420518588.5 申请日: 2014-09-10
公开(公告)号: CN204216027U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 丁万春 申请(专利权)人: 南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 孟阿妮;郭栋梁
地址: 226006 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构,包括:硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块;所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中,并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离;每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上,将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块,这种结构在外界压力下凸块不易变形,产品性能稳定。
搜索关键词: 硅通孔 金属 背面 结构
【主权项】:
一种硅通孔金属柱背面凸块结构,其特征在于,包括:硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块;所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中,并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离;每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。
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