[实用新型]一种密级高的编码发射电路有效
申请号: | 201420454942.2 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN204102320U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 杨飞 | 申请(专利权)人: | 重庆尊来科技有限责任公司 |
主分类号: | G08C23/04 | 分类号: | G08C23/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401424 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 一种密级高的编码发射电路,属于电子技术领域,由积分式互补振荡电路、编码集成电路、调制电阻、射频电路共同组成,积分式互补振荡电路的输出连接编码集成电路的变码端,编码集成电路的信号输出端连接调制电阻后接到射频电路中的发射管上,发射管与调制管共用一个三极管,增加了线路的可靠性,本专利实施后,大力提升采用三态编码类的集成电路具有高难度的破解能力,但却基本保持着价格低廉的优势,因而制作的产品在市场竞争中产生具大的竞争力,与其它高级类编码集成电路组合后,能实现超强的破解效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 密级 编码 发射 电路 | ||
【主权项】:
一种密级高的编码发射电路,其特征是:由积分式互补振荡电路、编码集成电路、调制电阻、射频电路共同组成:积分式互补振荡电路由积分电路、第一PNP三极管、第二NPN三极管、上偏二极管、上偏电阻、下偏电阻组成;积分电路由积分电阻与积分电容组成;积分电阻连接一个积分电容后到地线,积分电阻与积分电容的连接处接第一PNP三极管的发射极,第一PNP三极管的集电极与第二NPN三极管的基极相连接,第一PNP三极管的基极与第二NPN三极管的集电极相接,第一PNP三极管的上偏二极管串接了第一PNP三极管的上偏电阻后接到第一PNP三极管的基极上,第一PNP三极管的基极还接一个下偏电阻到地,第二NPN三极管的发射极成为积分式互补振荡电路的输出端连接编成集成电路的变码端,第二NPN三极管的发射接一只对地电阻;调制电阻的一端连接编码集成电路的输出,调制电阻的另一端连接发射管的发射极;射频电路由铜箔天线与发射管、调频电感、可调电容组成;调频电感元件中的调频电感一端与编码集成电路的电源端相接的接点连接控制开关的一端,控制开关的另一端接电源,调频电感的另一端连接铜箔天线的一端,发射管集电极连接在铜箔天线的一端,发射管基极电阻连接在发射管的基极与集电极之间,发射管的基极与发射极之间接一个电阻,发射管的发射极还连接了调制电阻的另一端,铜天线的另一端接可调电容的一端,可调电容的另一端连接发射管的集电极,可调电容并联了一个旁路电容,铜箔天线另一端还接了一个电容到发射管的发射极。
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