[实用新型]台面结构的10G PIN光电探测器芯片

摘要

本实用新型公开一种台面结构的10G PIN光电探测器芯片，包括：衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的吸收层、形成于吸收层上的顶层、形成于顶层上的有源区、形成于顶层上的接触层、形成于顶层上的第一复合钝化层、形成于衬底、缓冲层、吸收层、顶层和第一复合钝化层上的第二复合钝化层、形成于第二复合钝化层和有源区上的增透膜、形成于缓冲层上的N型电极环、形成于增透膜和N型电极环上的N电极及形成于增透膜和接触层上的P电极，第一至第二复合钝化层由氮化硅和二氧化硅沉积而成。该芯片采用氮化硅与二氧化硅沉积形成第一与第二钝化层，以对芯片进行保护，且可以简化产品加工工艺，安全性高。

主权项

一种台面结构的10G PIN光电探测器芯片，其特征在于，包括：衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的顶层、形成于所述顶层上的有源区、形成于所述顶层上的接触层、形成于所述顶层上的第一复合钝化层、形成于所述衬底、缓冲层、吸收层、顶层和第一复合钝化层上的第二复合钝化层、形成于所述第二复合钝化层和有源区上的增透膜、形成于所述缓冲层上的N型电极环、形成于所述增透膜和N型电极环上的N电极、以及形成于所述增透膜和接触层上的P电极。