[实用新型]双开中子屏蔽门防辐射层结构有效

专利信息
申请号: 201420339985.6 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN204087827U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 胡立群;钟国强;张海军;周瑞杰;刘光柱 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: G21F1/10 分类号: G21F1/10;G21F3/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种双开中子屏蔽门防辐射层结构,包括有含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,碳钢γ射线屏蔽层置于屏蔽门的两个门扉的内外两侧,并与门扉上、下及外侧边支撑结构钢焊接成一体,形成一侧开口的盒式整体结构,两门扉中间的搭接缝采用5级阶梯式设计,屏蔽门的门框同样采用含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,并按门扉的排布顺序制作,两门扉的左右及上门缝采用固定于门框上的向内凸起的台阶进行遮蔽,下门缝采用可转动的活动挡块进行遮蔽。本实用新型能够在额外占用极少安装空间的情况下,将高能中子、γ射线混合辐射场的剂量降低104~105倍,并且具备良好的缝隙屏蔽效果,提高了屏蔽门防辐射的均匀性。
搜索关键词: 双开 中子 屏蔽门 防辐射 结构
【主权项】:
一种双开中子屏蔽门防辐射层结构,其特征在于:包括有含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,碳钢γ射线屏蔽层置于屏蔽门的两个门扉的内外两侧,并与门扉上、下及外侧边支撑结构钢焊接成一体,形成一侧开口的盒式整体结构,该开口处位于盒式整体结构内侧,从所述内侧开口处将含硼聚乙烯中子屏蔽层材料装入门扉内部,两门扉中间的搭接缝采用5级阶梯式设计,屏蔽门的门框同样采用含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,并按门扉的排布顺序制作,两门扉的左右及上门缝采用固定于门框上的向内凸起的台阶进行遮蔽,下门缝采用可转动的活动挡块进行遮蔽。 
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院等离子体物理研究所,未经中国科学院等离子体物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420339985.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top