[实用新型]一种片式宽域氧传感器芯片有效
| 申请号： | 201420321027.6 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN203949895U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄海琴;宗红军;黄海军 | 申请（专利权）人： | 深圳市普利斯通传感科技有限公司;江澍 |
| 主分类号： | G01N27/409 | 分类号： | G01N27/409 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区松岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种片式宽域氧传感器芯片，包括包括由上至下依次层叠设置的第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片，其中，第二层流延基片上设有扩散空腔，第四层流延基片上设有反应空腔，第三层流延基片上设有连通扩散空腔和反应空腔的扩散通道；第三层流延基片的上表面设有容置于扩散空腔内的信号外泵电极，第三层流延基片的上表面还印制有覆盖在信号外泵电极上的保护层；第四层流延基片上表面设有一凹槽，凹槽内设置有绝缘层，绝缘层内设置有参比电极。本实用新型在结构设计上更加合理，强度更高，而且信号更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片式宽域氧 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，包括由上至下依次层叠设置的第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片，其中，所述第二层流延基片上设有扩散空腔，所述第四层流延基片上设有反应空腔，所述第三层流延基片上设有连通扩散空腔和反应空腔的扩散通道；所述第三层流延基片的上表面设有容置于扩散空腔内的信号外泵电极，所述第三层流延基片的上表面还印制有覆盖在信号外泵电极上的保护层；所述第四层流延基片上表面设有一凹槽，所述凹槽内设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层内设置有参比电极；所述反应空腔内设有若干信号内泵电极，所述反应空腔内设有将信号内泵电极与扩散通道隔离的扩散障碍层；所述第五层流延基片与第六层流延基片之间设有第二绝缘层，所述第二绝缘层内设有加热电极，所述加热电极通过电极引脚引到传感器的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市普利斯通传感科技有限公司;江澍，未经深圳市普利斯通传感科技有限公司;江澍许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420321027.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
