[实用新型]硅通孔结构有效
| 申请号： | 201420291727.5 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN203895439U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 沈哲敏;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出了一种硅通孔结构，包括：半导体衬底，形成于半导体衬底内的硅通孔连线，形成于硅通孔连线表面的缓冲层，并暴露出一部分硅通孔连线；在硅通孔连线的表面形成一层具有塑性变形能力的缓冲层，当硅通孔连线遭受到高温处理发生突起时，缓冲层能够发挥其塑性变形的能力，产生一定的收缩形变，可以通过自身的收缩来抵消铜突起现象，防止突起对上方膜层造成挤压，保证产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔结构，其特征在于，所述硅通孔结构包括：半导体衬底、硅通孔连线以及具有塑性变形能力的缓冲层，其中，所述硅通孔连线形成于所述半导体衬底内，所述缓冲层形成于所述硅通孔连线的表面，并暴露出一部分硅通孔连线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420291727.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
