[实用新型]双晶直探头有效

专利信息
申请号: 201420285535.3 申请日: 2014-05-30
公开(公告)号: CN204065027U 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 周南岐 申请(专利权)人: 常州市常超电子研究所有限公司
主分类号: G01N29/24 分类号: G01N29/24
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 王美华
地址: 213000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种双晶直探头,包括外壳及设置在外壳内的探头本体,所述探头本体包括压电晶片和两块相同的半圆柱形楔块,两楔块的顶面均为倾斜面,所述两楔块中间设置有隔声块,两楔块相对于隔声块对称,且两楔块的顶面均由靠近隔声块的一端向另一端向下倾斜,两楔块的顶面均设有压电晶片,所述探头本体外侧面包覆有一圈软木层,所述软木层由探头本体底部向上延伸,且软木层相对于探头本体底部的高度H大于所述压电晶片相对于探头本体的高度h。该双晶直探头通过在探头本体外侧增设软木层,吸收了绕道波,增加了检测数据的准确性,同时也方便了对外壳的便捷和快速安装。
搜索关键词: 双晶 探头
【主权项】:
一种双晶直探头,其特征在于,包括外壳及设置在外壳内的探头本体,所述探头本体包括压电晶片和两块相同的半圆柱形楔块,两楔块的顶面均为倾斜面,所述两楔块中间设置有隔声块,两楔块相对于隔声块对称,且两楔块的顶面均由靠近隔声块的一端向另一端向下倾斜,两楔块的顶面均设有压电晶片,所述探头本体外侧面包覆有一圈软木层,所述软木层由探头本体底部向上延伸,且软木层相对于探头本体底部的高度H大于所述压电晶片相对于探头本体的高度h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州市常超电子研究所有限公司,未经常州市常超电子研究所有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420285535.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top