[实用新型]硅通孔结构有效
| 申请号： | 201420235163.3 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN203812874U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种硅通孔结构，包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一电介质层，所述第一电介质层填充于所述硅通孔的侧壁上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层的侧壁上，所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数；金属层，所述金属层填充于第二电介质层内。在本实用新型提供的硅通孔结构中，由于所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质层的介电常数，减小了整个所述硅通孔结构的寄生电容，从而提高硅通孔结构的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔结构，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一电介质层，所述第一电介质层填充于所述硅通孔的侧壁上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层的侧壁上，所述第二电介质层的介电常数小于所述第一电介质的介电常数；金属层，所述金属层填充于第二电介质层内。
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