[实用新型]一种湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201420208570.5 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN203787389U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 左岳平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;H01L21/465 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种湿法刻蚀设备，涉及刻蚀技术领域，可精确检测刻蚀状态，从而保证刻蚀的均匀性，提高产品良率；所述湿法刻蚀设备包括刻蚀槽、设置在所述刻蚀槽内的多个传动轮和多个刻蚀液腔体、以及设置在每个所述刻蚀液腔体上的多个喷嘴；所述湿法刻蚀设备还包括检测装置、反馈装置和控制装置；其中，所述检测装置用于检测所述基板或者刻蚀液的变化参数，并将所述变化参数的数据信息发送给所述反馈装置；所述反馈装置用于计算处理所述数据信息，并将处理后的信息反馈给所述控制装置；所述控制装置用于根据反馈信息控制所述刻蚀液的喷淋量或者所述基板的运动速度；用于基板的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀设备，用于对基板进行刻蚀；所述湿法刻蚀设备包括刻蚀槽、设置在所述刻蚀槽内的多个传动轮和多个刻蚀液腔体、以及设置在每个所述刻蚀液腔体上的多个喷嘴；其特征在于，所述湿法刻蚀设备还包括检测装置、反馈装置和控制装置；其中，所述检测装置用于检测所述基板或者刻蚀液的变化参数，并将所述变化参数的数据信息发送给所述反馈装置；所述反馈装置用于计算处理所述数据信息，并将处理后的信息反馈给所述控制装置；所述控制装置用于根据反馈信息控制所述刻蚀液的喷淋量或者所述基板的运动速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
