[实用新型]一种N型背结太阳能电池有效
| 申请号： | 201420182717.8 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN203812893U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘运宇;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种N型背结太阳能电池，包括N型硅片衬底，N型硅片衬底的前表面设有绒面结构，绒面结构上具有N+区，N+区上设有减反射膜层；减反射膜层上设有正面电极；所述N型硅片衬底的背表面上设有P+区，P+区上依次设有硼硅玻璃钝化层、阻挡层和铝背电极；所述N型硅片衬底的背表面上还设有点接触开口，使所述铝背电极穿过所述硼硅玻璃钝化层和阻挡层与P+区电连接；所述硼硅玻璃钝化层的厚度为20~100纳米。本实用新型制在N型硅片衬底背表面的P+区上依次设有硼硅玻璃层、阻挡层和铝背电极，将硼硅玻璃层作为钝化层，不需要再次高温形成氧化层或沉积氧化铝，从而大大简化了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型背结 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种N型背结太阳能电池，包括N型硅片衬底(1)，N型硅片衬底的前表面设有绒面结构，绒面结构上具有N+区(2)，N+区上设有减反射膜层(3)；减反射膜层上设有正面电极(4)；其特征在于：所述N型硅片衬底的背表面上设有P+区(5)，P+区上依次设有硼硅玻璃钝化层(6)、阻挡层(7)和铝背电极(8)；所述N型硅片衬底的背表面上还设有点接触开口，使所述铝背电极穿过所述硼硅玻璃钝化层和阻挡层与P+区电连接；所述硼硅玻璃钝化层的厚度为20~100纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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