[实用新型]具有积累效应的场效应晶体管

摘要

本实用新型公开了一种具有积累效应的场效应晶体管，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。

主权项

具有积累效应的场效应晶体管，包括场效应晶体管本体，其特征是，所述场效应晶体管本体主要由衬底层、n+层、外延层、硼离子区、氧化层、良导体、P‑body区域、源区N+、P+区、金属塞、硼磷硅玻璃、金属薄膜和背金金属层组成；其中n+层位于衬底层的上方，外延层位于n+层的上方；外延层内开设有从外延层上部垂直延伸到外延层下部的沟槽，硼离子区设置在沟槽的底部外侧，氧化层附着在沟槽内侧的侧壁和底部上，良导体填充在附有氧化层的沟槽内；P‑body区域置于外延层上方、沟槽的外侧；源区N+置于P‑body区域的上方、沟槽的外侧；源区N+内开设有从源区N+上部垂直延伸到源区N+下部的接触孔，P+区设置在接触孔的底部外侧，在接触孔内填充金属塞；硼磷硅玻璃覆盖在源区N+和良导体的正上方；金属薄膜覆盖在金属塞和硼磷硅玻璃的正上方；背金金属层覆于衬底层的底部；良导体形成场效应晶体管本体的栅极，金属薄膜形成场效应晶体管本体的源极，背金金属层形成场效应晶体管本体的漏极。