[实用新型]一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构有效
| 申请号： | 201420083268.1 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203721704U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王骏 | 申请（专利权）人： | 江苏钜芯集成电路技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 高玉滨 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，PMF的连接侧面设有凹陷区，CAP连接侧的外壁连接PMF凹陷区内壁；PMF凹陷区底部设有凸起部I，该凸起部I与PMF凹陷区内壁之间形成凹槽；CAP连接侧的端面上设有凸起部II，凸起部II伸入所述凹槽；凸起部II与所述凹槽紧密衔接。本实用新型涉及的这种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，具有结构简单，性能稳定的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dip 半导体 pmf cap 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述PMF的连接侧面设有凹陷区，CAP连接侧的外壁连接PMF凹陷区内壁；所述PMF凹陷区底部设有凸起部I，该凸起部I与PMF凹陷区内壁之间形成凹槽；CAP连接侧的端面上设有凸起部II，所述凸起部II伸入所述凹槽；所述凸起部II与所述凹槽紧密衔接。
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