[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
申请号: | 201410855853.3 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN105047226B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 赵善基 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体存储器件,其包括:熔丝阵列块,其包括利用状态信息编程的多个熔丝;操作方向控制块,其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向;以及熔丝信息载入块,其适于通过所述启动操作载入在所述多个熔丝阵列块的熔丝中被编程的所述状态信息。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,其包括:/n熔丝阵列块,其包括利用状态信息编程的多个熔丝;/n操作方向控制块,其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向;以及/n熔丝信息载入块,其适于通过启动操作载入在所述熔丝阵列块的多个熔丝中被编程的所述状态信息。/n
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