[发明专利]版图、像素单元结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种版图、像素单元结构及其制备方法，包括光电二极管阵列和用于光电二极管之间互连的互连层，互连层包括第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，以及位于其上方的第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，第一金属互连线包括用作信号输出线的横向互连线，以及用作传输控制线、复位控制线或行选控制线的纵向互连线；纵向互连线由与横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与纵向金属互连线通过接触孔连接的多晶跳线构成；表面覆盖有金属硅化物层的多晶跳线位于纵向互连线与横向互连线相交的区域下方；第二金属互连线用作电源线，其将光电二极管之间的区域覆盖，将用于光电二极管区域暴露出来。

主权项

一种像素单元结构，其应用于CMOS图像传感器中，其包括光电二极管阵列和用于将各个所述光电二极管之间进行互连的互连层，其特征在于，所述互连层包括：第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，其具有：横向互连线，用作信号输出线；纵向互连线，用作传输控制线、复位控制线或行选控制线；其由与所述横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与所述纵向金属互连线通过接触孔连接的多晶跳线构成；其中，所述多晶跳线位于所述纵向金属互连线所在直线与所述横向互连线相交的区域下方，其表面覆盖有金属硅化物层，从而避免所述横向互连线与所述纵向互连线在所述相交的区域产生短路；第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，用作电源线，其位于所述第一金属互连线和所述第一介质层上方，其将用于感光的光电二极管之间的区域覆盖，将所述用于感光的光电二极管区域暴露出来。