[发明专利]一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410848910.5 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104659021A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 夏国峰;于大全 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 710018 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法，该三维圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，扇出PoP封装单元包含IC芯片、金属凸点结构、塑封材料、金属层、介电材料层、再布线金属走线层、焊球。所述方法：配置金属基材圆片，在圆片上表面制作金属凸点结构，倒装芯片贴片、塑封，在塑封材料上制作通孔，在通孔中制作金属凸点结构，制作再布线金属走线层，配置和去除圆片，对圆片下表面进行蚀刻，形成再布线金属走线层，堆叠回流焊，去除圆片，植球和回流焊形成三维圆片级扇出PoP封装。该发明解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 圆片级扇出 pop 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维圆片级扇出PoP封装结构，其特征在于，通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成；一个扇出PoP封装单元由两个相同结构的封装体构成；所述一个封装体包括有第一金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、凸点(4)、第一塑封材料(5)、第二金属凸点结构(6)、第一再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、第一介电材料层(9)、第二再布线金属走线层(10)、第二介电材料层(11)、第二金属层(12)；所述IC芯片(3)带有凸点(4)，凸点(4)连接于第一金属凸点结构(2)上，与凸点(4)未连接的第一金属凸点结构(2)连接有第二金属凸点结构(6)，第一塑封材料(5)包围了第一金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、凸点(4)和第二金属凸点结构(6)，IC芯片(3)和第二金属凸点结构(6)与第一再布线金属走线层(7)连接，第一再布线金属走线层(7)上制作有第一金属层(8)，第一介电材料层(9)包围第一再布线金属走线层(7)，并涂覆在IC芯片(3)、第二金属凸点结构(6)和第一塑封材料(5)同一侧面；在第一金属凸点结构(2)和第一塑封材料(5)另一个侧面涂覆有第二介电材料层(11)，第二介电材料层(11)包围第二再布线金属走线层(10)，第二再布线金属走线层(10)与第一金属凸点结构(2)相连，第二再布线金属走线层(10)上制作有第一金属层(12)；两个相对放置的封装体的第二金属层(12)连接第一焊球(13)，并在一个封装体的第一金属层(8)上连接第二焊球(14)，形成一个扇出PoP封装单元；所述扇出PoP封装单元的第二焊球(14)再连接有一个相对放置的扇出PoP封装单元的第一金属层(8)，所述未植球部分的第一金属层(8)、第一焊球(13)及其连接的一对第二金属层(12)、第二焊球(14)及其连接的一对第一金属层(8)包围有第二塑封材料(15)，形成一个三维圆片级扇出PoP封装结构。
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