[发明专利]用于制备MOS管的组合掩膜版

摘要

本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种组合掩膜版。用于制备MOS管的组合掩膜版，包括，第一掩膜版，用于在一复合结构中形成一第一薄膜层；第二掩膜版，用于在复合结构中形成一第二薄膜层；第三掩膜版，用于在复合结构中形成一第三薄膜层；第一掩膜版与第三掩膜版叠加后的重合区域形成第四光掩模图形，第四光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第一薄膜层与第三薄膜层的连接孔；第二掩膜版与第三掩膜版叠加后的重合区域形成第五光掩模图形，第五光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与三薄膜层的连接孔。本发明可以减少针对连接孔单独设置独立的掩膜版，降低集成电路的制造成本。

主权项

用于制备MOS管的组合掩膜版，其特征在于，包括，第一掩膜版，所述第一掩膜版上形成有第一光掩膜图形，所述第一光掩模图形用于在一复合结构中形成一第一薄膜层；第二掩膜版，所述第二掩膜版上形成有第二光掩膜图形，所述第二光掩模图形用于在所述复合结构中形成一第二薄膜层；第三掩膜版，所述第三掩膜版上形成有第三光掩膜图形，所述第三光掩模图形用于在所述复合结构中形成一第三薄膜层；所述第一掩膜版与所述第三掩膜版叠加后的重合区域形成第四光掩模图形，所述第四光掩膜图形用于在所述复合结构中形成连接所述第一薄膜层与所述第三薄膜层的连接孔；所述第二掩膜版与所述第三掩膜版叠加后的重合区域形成第五光掩模图形，所述第五光掩膜图形用于在所述复合结构中形成连接所述第二薄膜层与所述三薄膜层的连接孔。